[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：衬底；有源结构，设置于所述衬底内，所述有源结构包括多个第一有源片段以及多个第二有源片段，各个所述第一有源片段以及各个所述第二有源片段相互平行地朝着第一方向延伸，并且在所述第一方向上相互交替地设置，所述第二有源片段设置在所有的所述第一有源片段外侧，其中，所述第一有源片段在所述第一方向上皆具有相同的第一长度，所述第二有源片段在所述第一方向上具有第二长度，所述第二长度大于或小于所述第一长度；浅沟渠隔离，设置于所述衬底内，以环绕所述有源结构；以及多个字线，相互平行地沿着第二方向延伸并设置于所述衬底内，所述字线中至少两条仅与所述第二有源片段交错，所述第二方向相交且不垂直于所述第一方向。

2.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，任两相邻的所述第二有源片段在所述第一方向上具有不相同的所述第二长度以及第三长度。

3.依据权利要求第2项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述第二长度大于所述第一长度，且所述第三长度小于所述第一长度。

4.依据权利要求第2项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述第二长度以及所述第三长度皆大于或小于所述第一长度。

5.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述第一有源片段以及所述第二有源片段在所述第二方向上具有相同的第一间隔，所述第一有源片段以及所述第二有源片段在所述第一方向上具有相同的第二间隔，所述第二间隔大于所述第一间隔，并且，所述浅沟渠隔离包含分别填入所述第一间隔以及所述第二间隔的多个第一部分以及多个第二部分。

6.依据权利要求第5项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述字线中至少一条不穿过任何所述第二部分。

7.依据权利要求第5项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述字线依序穿过所述第一部分以及所述第二部分。

8.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，任两相邻的所述第二有源片段相互分隔设置。

9.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，任两相邻的所述第二有源片段彼此相连。

10.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述有源结构还包括有源区，环绕着所述第一有源片段以及所述第二有源片段设置，所有的所述第二有源片段直接接触所述有源区。

11.依据权利要求第10项所述之半导体存储装置，其特征在于，所述有源区包括延伸于所述第二方向上的至少一第一侧边，以及延伸于垂直于所述第二方向的第三方向上的至少一第二侧边，部分的所述第二有源片段同时接触所述第一侧边以及所述第二侧边。

12.一种半导体存储装置，其特征在于包括：衬底；有源结构，设置于所述衬底内，所述有源结构包括多个第一有源片段、多个第二有源片段，各个所述第一有源片段以及各个所述第二有源片段相互平行地朝着第一方向延伸，并且在所述第一方向上相互交替地设置，所述第二有源片段设置在所有的所述第一有源片段外侧，所述第一有源片段在所述第一方向上具有相同的第一长度，多个所述第二有源片段在所述第一方向上分别具有不同于所述第一长度的长度，其中，所述第一有源片段以及所述第二有源片段在不垂直于所述第一方向的第二方向上具有相同的第一间隔，所述第一有源片段以及所述第二有源片段在所述第一方向上具有相同的第二间隔，所述第二间隔大于所述第一间隔；浅沟渠隔离，设置于所述衬底内，以环绕所述有源结构，其中，所述浅沟渠隔离包含分别填入所述第一间隔以及所述第二间隔的多个第一部分以及多个第二部分；以及多个字线，相互平行地沿着所述第二方向延伸并设置于所述衬底内，所述字线中至少一条不穿过任何所述第二部分。