[发明专利]半导体存储装置

说明书

本发明公开了一种半导体存储装置，包括衬底、有源结构、浅沟渠隔离以及多个字线。有源结构设置于衬底内，并包括多个第一有源片段以及多个第二有源片段，各个第一有源片段以及各个第二有源片段相互平行地朝着第一方向延伸，第二有源片段设置在所有的第一有源片段外侧。浅沟渠隔离设置于衬底内，环绕有源结构并包括多个第一部分以及多个第二部分。字线相互平行地沿着第二方向延伸并设置于所述衬底内。所述字线中至少两条仅与所述第二有源片段交错，或者至少一条不穿过任何第二部分。藉此，可有效地避免字线与位线直接导通。

技术领域

本发明涉及一种半导体存储装置，尤其是涉及一种包括有源结构以及浅沟渠隔离的半导体存储装置。

背景技术

随着半导体装置微小化以及集成电路的复杂化，组件的尺寸不断地减小，结构亦不断地变化，因此，维持小尺寸半导体组件的效能为目前业界的主要目标。在半导体制作工艺中，多半是在衬底上定义出多个有源区域作为基础，再于所述有源区域上形成所需组件。一般来说，有源区域为利用光刻及蚀刻等制作工艺在衬底上所形成多个图案，但在尺寸微缩的要求下，有源区域的宽度逐渐缩减，而各个有源区域之间的间距也渐缩小，使得其制作工艺也面临许多限制与挑战，以至于无法满足产品需求。

发明内容

本发明之一目的在于提供一种半导体存储装置，其设置于外侧的字线系作为虚设字线，以保护设置于内侧的字线，避免设置于内侧的字线透过有源结构而与后续形成的位线直接导通。在此设置下，本发明之半导体存储装置可达到较为优化的组件效能。

为达上述目的，本发明之一实施例提供一种半导体存储装置，包括衬底、有源结构、浅沟渠隔离以及多个字线。所述有源结构设置于所述衬底内，并包括多个第一有源片段以及多个第二有源片段，各个所述第一有源片段以及各个所述第二有源片段相互平行地朝着第一方向延伸，所述第二有源片段设置在所有的所述第一有源片段外侧。其中，所述第一有源片段在所述第一方向上皆具有相同的第一长度，所述第二有源片段在所述第一方向上具有第二长度，所述第二长度大于或小于所述第一长度。所述浅沟渠隔离设置于所述衬底内，以环绕所述有源结构。所述字线相互平行地沿着第二方向延伸并设置于所述衬底内，所述字线中至少两条仅与所述第二有源片段交错，所述第二方向相交且不垂直于所述第一方向。

为达上述目的，本发明之一实施例提供另一种半导体存储装置，包括衬底、有源结构、浅沟渠隔离以及多个字线。所述有源结构设置于所述衬底内，并包括多个第一有源片段以及多个第二有源片段，各个所述第一有源片段以及各个所述第二有源片段相互平行地朝着第一方向延伸，所述第二有源片段设置在所有的所述第一有源片段外侧，所述第一有源片段在所述第一方向上皆具有相同的第一长度，所述第二有源片段在所述第一方向上分别具有不同于所述第一长度的长度。其中，所述第一有源片段以及所述第二有源片段在不垂直于所述第一方向的第二方向上具有相同的第一间隔，所述第一有源片段以及所述第二有源片段在垂直于所述第二方向的第三方向上具有相同的第二间隔，所述第二间隔大于所述第一间隔。所述浅沟渠隔离设置于所述衬底内，以环绕所述有源结构，其中，所述浅沟渠隔离包含分别填入所述第一间隔以及所述第二间隔的多个第一部分以及多个第二部分。所述字线相互平行地沿着第二方向延伸并设置于所述衬底内，所述字线中至少一条不穿过任何所述第二部分。

附图说明

图1至图2绘示本发明第一优选实施例中半导体存储装置的示意图；其中

图1为本发明的半导体存储装置的俯视示意图；以及

图2为图1沿切线A-A’的剖面示意图。

图3绘示本发明第二优选实施例中半导体存储装置的示意图。

图4绘示本发明第三优选实施例中半导体存储装置的示意图。

其中，附图标记说明如下：

300、400、500              半导体存储装置

110                      衬底