[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 202110832234.2 | 申请日： | 2021-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113555504B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 王琪 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括：衬底；多个下电极，多个下电极间隔地位于衬底上；保护层，保护层位于下电极的上部，并将下电极分隔开；其中，保护层的材质包括氢化非晶硬碳。通过使得保护层的材质包括氢化非晶硬碳，即保护层的硬度较高，因此在形成电容孔的过程中不会对保护层形成破坏，所以可以保证形成的下电极的质量，从而改善半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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