[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括：衬底；多个下电极，多个下电极间隔地位于衬底上；保护层，保护层位于下电极的上部，并将下电极分隔开；其中，保护层的材质包括氢化非晶硬碳。通过使得保护层的材质包括氢化非晶硬碳，即保护层的硬度较高，因此在形成电容孔的过程中不会对保护层形成破坏，所以可以保证形成的下电极的质量，从而改善半导体结构的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制造方法。

背景技术

相关技术中，半导体结构的电容下电极通过叠成结构进行支撑，由于叠成结构本身的限定，在形成电容孔过程中，叠成结构容易被破坏，从而影响后续形成的电容下电极结构。

发明内容

本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，以改善半导体结构的性能。

根据本发明的第一个方面，提供了一种半导体结构，包括：

衬底；

多个下电极，多个下电极间隔地位于衬底上；

保护层，保护层位于下电极的上部，并将下电极分隔开；

其中，保护层的材质包括氢化非晶硬碳。

在本发明的一个实施例中，保护层为类金刚石薄膜层。

在本发明的一个实施例中，半导体结构还包括：

第一支撑层，第一支撑层位于下电极的中部，并将下电极分隔开。

在本发明的一个实施例中，保护层覆盖第一支撑层的表面。

在本发明的一个实施例中，保护层的厚度小于第一支撑层的厚度。

在本发明的一个实施例中，保护层的厚度不大于第一支撑层的厚度的一半。

在本发明的一个实施例中，半导体结构还包括：

第二支撑层，第二支撑层位于下电极的中部，并将下电极分隔开；

其中，第二支撑层位于第一支撑层的下方，且与第一支撑层间隔设置。

在本发明的一个实施例中，半导体结构还包括：

介质层，介质层覆盖在下电极的表面；

上电极，上电极覆盖在介质层的表面。

在本发明的一个实施例中，衬底包括多个间隔设置的接触垫，下电极与接触垫直接接触。

根据本发明的第二个方面，提供了一种半导体结构的制造方法，包括：

提供衬底；

在衬底上形成叠层结构；

在叠层结构中形成多个电容孔，电容孔暴露衬底；

其中，叠层结构包括保护层，保护层形成电容孔的上部，保护层的材质包括氢化非晶硬碳。

在本发明的一个实施例中，叠层结构还包括在衬底上依次形成的第一牺牲层、第二支撑层、第二牺牲层以及第一支撑层；

其中，保护层形成于第一支撑层上。

在本发明的一个实施例中，半导体结构的制造方法，还包括：

在电容孔中形成下电极，下电极的底部与衬底直接接触。

在本发明的一个实施例中，保护层的厚度小于第一支撑层的厚度。

在本发明的一个实施例中，半导体结构的制造方法，还包括：

形成电容孔之后，