[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

多个下电极，多个所述下电极间隔地位于所述衬底上；

保护层，所述保护层位于所述下电极的上部，并将所述下电极分隔开；

其中，所述保护层的材质包括氢化非晶硬碳。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层为类金刚石薄膜层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第一支撑层，所述第一支撑层位于所述下电极的中部，并将所述下电极分隔开。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层覆盖所述第一支撑层的表面。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的厚度小于所述第一支撑层的厚度。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的厚度不大于所述第一支撑层的厚度的一半。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第二支撑层，所述第二支撑层位于所述下电极的中部，并将所述下电极分隔开；

其中，所述第二支撑层位于所述第一支撑层的下方，且与所述第一支撑层间隔设置。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

介质层，所述介质层覆盖在所述下电极的表面；

上电极，所述上电极覆盖在所述介质层的表面。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括多个间隔设置的接触垫，所述下电极与所述接触垫直接接触。

10.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成叠层结构；

在所述叠层结构中形成多个电容孔，所述电容孔暴露所述衬底；

其中，所述叠层结构包括保护层，所述保护层形成所述电容孔的上部，所述保护层的材质包括氢化非晶硬碳。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述叠层结构还包括在所述衬底上依次形成的第一牺牲层、第二支撑层、第二牺牲层以及第一支撑层；

其中，所述保护层形成于所述第一支撑层上。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述电容孔中形成下电极，所述下电极的底部与所述衬底直接接触。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度小于所述第一支撑层的厚度。

14.根据权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：

形成所述电容孔之后，

去除所述保护层；

在所述电容孔中形成下电极，所述下电极的底部与所述衬底直接接触。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：

形成所述下电极之后，

去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层；

在所述下电极的表面形成介质层；

在所述介质层的表面形成上电极。