[发明专利]掩蔽装置、结合半导体衬底及形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110800467.4 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN113539846A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 郑佳申;陈威宇;钟宇轩;林修任;谢静华;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于结合半导体衬底的方法包括：将管芯放置在衬底上，以及在管芯及衬底上执行加热工艺，以将相应的第一连接件与相应的第二连接件结合。管芯上的多个第一连接件中的相应的第一连接件接触衬底上的多个第二连接件中的相应的第二连接件。加热工艺包括：在激光产生器与衬底之间放置掩蔽装置，以及执行激光发射。一种掩蔽装置包括掩蔽层及透明层。掩蔽层的部分是不透明的。激光穿过掩蔽层中的第一间隙且穿过透明层，以加热与衬底相对的管芯的顶侧的第一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 掩蔽 装置 结合 半导体 衬底 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
