[发明专利]掩蔽装置、结合半导体衬底及形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于执行激光加热工艺的掩蔽装置，包括：

掩蔽层，所述掩蔽层包括多个掩蔽部分，所述掩蔽部分对于回焊激光是不透明的；及

安装层，所述掩蔽层位于所述安装层上，所述安装层对于所述回焊激光是透明的。

2.根据权利要求1所述的掩蔽装置，其中所述多个掩蔽部分中的第一掩蔽部分包括圆形轮廓，所述多个掩蔽部分中的第二掩蔽部分包括圆形轮廓，所述第二掩蔽部分围绕所述第一掩蔽部分，所述第一掩蔽部分不接触所述掩蔽层的任何其他部分，所述第二掩蔽部分位于所述第一掩蔽部分中的开口中，所述开口的直径介于10mm到60mm的范围内，且所述第二掩蔽部分的直径介于4mm到30mm的范围内。

3.根据权利要求1所述的掩蔽装置，其中所述掩蔽层内的至少一个间隙具有矩形轮廓，所述掩蔽层包括部分透明的部分。

4.根据权利要求1所述的掩蔽装置，其中所述安装层包含玻璃，且所述掩蔽层通过螺钉贴合到所述安装层。

5.一种用于结合半导体衬底的方法，所述方法包括：

将管芯放置在衬底上，所述管芯上的多个第一连接件中的相应的第一连接件接触所述衬底上的多个第二连接件中的相应的第二连接件；及

在所述管芯及所述衬底上执行加热工艺，以将所述相应的第一连接件与所述相应的第二连接件结合，所述加热工艺包括：

在激光产生器与所述衬底之间放置掩蔽装置，所述掩蔽装置包括掩蔽层及透明层，所述掩蔽层的部分是不透明的；及

执行第一激光发射，所述激光穿过所述掩蔽层中的第一间隙且穿过所述透明层以加热与所述衬底相对的所述管芯的顶侧的第一部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一间隙具有环形轮廓。

7.根据权利要求5所述的方法，还包括：

执行第二激光发射，其中在所述第二激光发射期间，所述激光穿过所述掩蔽层中的第二间隙以加热所述管芯的所述顶侧的第二部分，所述管芯的所述顶侧的所述第二部分被所述管芯的所述顶侧的所述第一部分围绕；及

在执行所述第一激光发射之后且在执行所述第二激光发射之前，相对于所述衬底移动所述掩蔽层，且所述第二间隙具有外部圆形轮廓及内部圆形轮廓。

8.根据权利要求5所述的方法，还包括执行多个所述加热工艺，所述多个加热工艺将所述多个第一连接件中的每个第一连接件与所述多个第二连接件中的相应的第二连接件结合。

9.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

将第一封装组件与第二封装组件对准，所述第一封装组件具有第一导电连接件，所述第二封装组件具有第二导电连接件，其中所述对准使所述第一导电连接件与所述第二导电连接件实体接触；及

执行第一激光发射，所述第一激光发射撞击与所述第一导电连接件相对的所述第一封装组件，所述第一激光发射经由穿过掩蔽层中的第一开口且穿过所述掩蔽层的邻近所述第一开口的第一部分透明的部分而成形，所述第一激光发射对所述第一导电连接件及所述第二导电连接件进行回焊。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括执行第二激光发射，所述第二激光发射撞击与第三导电连接件相对的所述第一封装组件，所述第三导电连接件与所述第二封装组件上的第四导电连接件实体接触，其中所述第二激光发射经由穿过所述掩蔽层中的第三开口、穿过所述掩蔽层中的第四开口以及穿过所述掩蔽层的位于所述第三开口与所述第四开口之间的第二部分透明的部分来成形，其中所述第一激光发射与所述第二激光发射同时执行。