[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202110788345.8 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN114171532A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 奥山清 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够实现小型化的半导体存储装置。半导体存储装置具有第一存储单元、第二存储单元、第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管。所述第二存储单元与所述第一存储单元不同。所述第一晶体管包括：第一部分，与第一电路电连接；第二部分，与所述第一存储单元电连接；第一栅极电极，设置于所述第一部分和所述第二部分之间。所述第二晶体管包括：第三部分，与所述第一电路电连接；第四部分，与所述第二存储单元电连接；第一栅极电极，设置于所述第三部分和所述第四部分之间。所述第三晶体管包括：所述第二部分和所述第四部分；第五部分，与第二电路电连接；第二栅极电极，设置于所述第二部分和所述第五部分之间以及所述第四部分和所述第五部分之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
