[发明专利]半导体存储装置在审

申请号：	202110788345.8	申请日：	2021-07-13
公开（公告）号：	CN114171532A	公开（公告）日：	2022-03-11
发明（设计）人：	奥山清	申请（专利权）人：	铠侠股份有限公司
主分类号：	H01L27/1157	分类号：	H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11573
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	徐殿军
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体存储装置
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【说明书】：

提供一种能够实现小型化的半导体存储装置。半导体存储装置具有第一存储单元、第二存储单元、第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管。所述第二存储单元与所述第一存储单元不同。所述第一晶体管包括：第一部分，与第一电路电连接；第二部分，与所述第一存储单元电连接；第一栅极电极，设置于所述第一部分和所述第二部分之间。所述第二晶体管包括：第三部分，与所述第一电路电连接；第四部分，与所述第二存储单元电连接；第一栅极电极，设置于所述第三部分和所述第四部分之间。所述第三晶体管包括：所述第二部分和所述第四部分；第五部分，与第二电路电连接；第二栅极电极，设置于所述第二部分和所述第五部分之间以及所述第四部分和所述第五部分之间。

本申请主张以日本专利申请第2020－151789号(申请日：2020年9月10日)为基础申请的优先权。本申请通过引用该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体存储装置。

背景技术

已知包括在基板上交替地层叠导电层和绝缘层所得的层叠体；及沿所述基板的厚度方向在所述层叠体内延伸的多个柱状体的半导体存储装置。

发明内容

本发明要解决的课题是，提供一种能够实现小型化的半导体存储装置。

实施方式的半导体存储装置具有第一存储单元、第二存储单元、第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管。所述第二存储单元与所述第一存储单元不同。所述第一晶体管包括：第一部分，与第一电路电连接；第二部分，与所述第一存储单元电连接；第一栅极电极，设置于所述第一部分和所述第二部分之间。所述第二晶体管包括：第三部分，与所述第一电路电连接；第四部分，与所述第二存储单元电连接；第一栅极电极，设置于所述第三部分和所述第四部分之间。所述第三晶体管包括：所述第二部分；所述第四部分；第五部分，与第二电路电连接；第二栅极电极，设置于所述第二部分和所述第五部分之间以及所述第四部分和所述第五部分之间。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体存储装置的结构的图。

图2是表示第一实施方式的半导体存储装置的等价电路的图。

图3是表示第一实施方式的半导体存储装置的构造的剖视图。

图4是用于说明第一实施方式的批量处理的图。

图5是表示第一实施方式的半导体存储装置的布局的图。

图6是表示第一实施方式的半导体存储装置的杂质区域的第一例的图。

图7是表示第一实施方式的半导体存储装置的杂质区域的第二例的图。

图8是表示第一实施方式的删除动作用栅极电极的布局的图。

图9是用于说明第一实施方式的半导体存储装置的构造的第一图。

图10是用于说明第一实施方式的半导体存储装置的构造的第二图。

图11是表示第二实施方式的半导体存储装置的结构的图。