[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其具有：

第一存储单元；

第二存储单元，与所述第一存储单元不同；

第一晶体管，包括：第一部分，与第一电路电连接；第二部分，与所述第一存储单元电连接；第一栅极电极，设置于所述第一部分和所述第二部分之间；

第二晶体管，包括：第三部分，与所述第一电路电连接；第四部分，与所述第二存储单元电连接；第一栅极电极，设置于所述第三部分和所述第四部分之间；以及

第三晶体管，包括：所述第二部分和所述第四部分；第五部分，与第二电路电连接；第二栅极电极，设置于所述第二部分和所述第五部分之间以及所述第四部分和所述第五部分之间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

所述第一晶体管及所述第二晶体管在第一方向上并列，所述第一晶体管和所述第三晶体管在与所述第一方向相交的第二方向上相邻配置。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，

所述第一电路在对所述第一存储单元及所述第二存储单元施加单独的电压的情况下，单独地控制所述第一晶体管及所述第二晶体管，

所述第二电路在对所述第一存储单元及所述第二存储单元施加共同的电压的情况下，对所述第三晶体管进行控制。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，其中，

所述第二电路在对所述第一存储单元及所述第二存储单元施加共同的电压的情况下，对所述第五部分施加电压。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，其中，

所述第二电路在使所述第一存储单元及所述第二存储单元进行共同的动作的情况下，对所述第五部分施加电压。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，

所述共同的动作是删除在所述第一存储单元及所述第二存储单元存储的数据的删除动作。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

所述第一存储单元和所述第二部分经由第一配线连接，

所述第二存储单元和所述第四部分经由第二配线连接。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中，

所述半导体存储装置还具有：

基板；

层叠体，该层叠体是在所述基板上交替地层叠导电层和绝缘层而得到的；以及

多个柱状体，沿所述基板的厚度方向在所述层叠体内延伸，

所述第一存储单元及所述第二存储单元设置于所述导电层和所述多个柱状体的交叉部分，

所述第一配线与所述多个柱状体所包含的第一柱状体连接，

所述第二配线与所述多个柱状体所包含的不同于所述第一柱状体的第二柱状体连接。

9.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，其中，

所述半导体存储装置还具有连接所述第五部分和所述第二电路的导电部，

所述导电部与所述第五部分和所述第二栅极电极连接。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中，

所述半导体存储装置还具有：

基板；

层叠体，该层叠体是在所述基板上交替地层叠导电层和绝缘层而得到的；以及

多个柱状体，沿所述基板的厚度方向在所述层叠体内延伸，

所述第一存储单元及所述第二存储单元设置于所述导电层和所述多个柱状体的交叉部分，

所述导电部是沿所述基板的厚度方向延伸的柱状体。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中，

在从所述基板的厚度方向观察时，所述柱状体跨越所述第五部分和所述第二栅极电极。