[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110779603.6 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN115602630A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底；多个凸起部，分立于第一器件区和第二器件区的衬底上；沟道结构，位于凸起部上；隔离层，位于衬底上且围绕凸起部；掩埋轨道线，位于第一器件区和第二器件区之间的衬底中，掩埋轨道线与相邻的凸起部之间平行间隔设置；覆盖介质层，位于掩埋轨道线顶部上且位于隔离层中；多个栅极结构，位于隔离层和覆盖介质层上且横跨沟道结构，栅极结构包括电极材料层，部分栅极结构的电极材料层贯穿掩埋轨道线顶部上的覆盖介质层，且与掩埋轨道线相接触，使栅极结构与掩埋轨道线电连接，提高了对栅极结构连线的自由度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
