[发明专利]一种悬式瓷绝缘子的半导体釉及其制备方法在审
| 申请号： | 202110774929.X | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113321418A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 谢鹏;谢涛;赵明彪;陈玉 | 申请（专利权）人： | 萍乡强盛电瓷制造有限公司 |
| 主分类号： | C03C8/00 | 分类号： | C03C8/00 |
| 代理公司： | 北京精翰专利代理有限公司 11921 | 代理人： | 冯琼 |
| 地址： | 337000*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种悬式瓷绝缘子的半导体釉及其制备方法，涉及半导体釉技术领域。该一种悬式瓷绝缘子的半导体釉，包括：釉原料、导电性金属氧化物填料、耐磨填料和助溶剂，且釉原料、导电性金属氧化物填料、耐磨填料和助溶剂的质量比为(45～60)：(15～30)：(12～16.5)：(14～18.5)。通过加入煅烧氧化锌、锂瓷石和锂辉石的釉原料收缩性小，釉面不易出现针孔和裂纹，确保釉面的憎水性和防尘效果，以此降低闪络的发生概率，通过在釉原料中加入二氧化硅、硅酸锆和碳化硼按，进一步增强釉料的机械强度、硬度和耐磨性，同时还能提高釉料的耐化学腐蚀性和粘度，使得釉料附着在悬式半导体绝缘子上后能承受更大的外力荷载。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 悬式瓷 绝缘子 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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