[发明专利]一种悬式瓷绝缘子的半导体釉及其制备方法

权利要求书

1.一种悬式瓷绝缘子的半导体釉，其特征在于：包括：釉原料、导电性金属氧化物填料、耐磨填料和助溶剂，且釉原料、导电性金属氧化物填料、耐磨填料和助溶剂的质量比为(45～60)：(15～30)：(12～16.5)：(14～18.5)。

2.根据权利要求1所述的一种悬式瓷绝缘子的半导体釉，其特征在于：所述釉原料包括有钾长石、石英、滑石和高岭土，且钾长石、石英、滑石和高岭土的质量比为(13～22.5)：(8～17.5)：(7～16)：(11～15)。

3.根据权利要求1所述的一种悬式瓷绝缘子的半导体釉，其特征在于：所述导电性金属氧化物填料包括有氧化铟锡、二氧化钌和二氧化锡，且氧化铟锡、二氧化钌和二氧化锡的质量比为(18～23)：(15～26.5)：(17～23.5)。

4.根据权利要求1所述的一种悬式瓷绝缘子的半导体釉，其特征在于：所述耐磨填料有二氧化硅、硅酸锆和碳化硼，且二氧化硅、硅酸锆和碳化硼的质量比为(16～28)：(24～32.5)：(18～27.5)。

5.根据权利要求1所述的一种悬式瓷绝缘子的半导体釉，其特征在于：所述助溶剂包括有煅烧氧化锌、锂瓷石和锂辉石，且溶剂包括有煅烧氧化锌、锂瓷石和锂辉石的质量比为(9～15.5)：(8～12.5)：(5～7.5)。

6.根据权利要求1所述的一种悬式瓷绝缘子的半导体釉的其制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1.首先将钾长石、石英和滑石按配比加入碎石机内进行粉碎，然后将粉碎后的混合碎料加入球磨机磨研磨2～3h，磨制细度为20～30um，筛去杂质后得到釉原料；

S2.然后分别将锂瓷石和锂辉石加入碎石机内进行粉碎，再按配比将粉碎后的锂瓷石碎料、锂辉石碎料和煅烧氧化锌混合后加入球磨机磨研磨1.5～2h，研磨细度为25～35um，筛去杂质后得到助溶剂；

S3.将氧化铟锡、二氧化钌和二氧化锡按配比混合均匀得到导电性金属氧化物填料；

S4.将二氧化硅、硅酸锆和碳化硼按配比混合均匀得到耐磨填料；

S5.最后将S1中得到的釉原料、S2中得到的助溶剂、S3中得到的导电性金属氧化物填料以及S4中的得到的耐磨填料，按配比加入研磨机，再以配料的总重量为基准加入0.6～0.7倍重量的水，研磨3～5h得到半导体釉浆。