[发明专利]三维存储器及其检测方法有效
| 申请号： | 202110748364.8 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113488452B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 杨荟;汤强;史维华 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种三维存储器。该三维存储器包括：存储阵列芯片，包括第一键合面；外围电路芯片，包括第二键合面，其中，存储阵列芯片在第一键合面处与外围电路芯片在第二键合面处键合连接；受检电路，包括位于存储阵列芯片中的第一导电层和位于外围电路芯片中的第二导电层，其中，第一导电层包括暴露于第一键合面的第一键合触点，第二导电层包括暴露于第二键合面的第二键合触点，第一导电层和第二导电层通过第一键合触点和第二键合触点键合连接后形成受检电路；以及检测模块，位于外围电路芯片和/或存储阵列芯片中，并与受检电路的第一端连接，用于检测受检电路的开路或者短路情况。本申请能够增加受检电路的检测结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 检测 方法 | ||
【主权项】：
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