[发明专利]一种SiC MOSFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110746585.1 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113571584B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 王谦;刘昊;田亮;施俊 | 申请（专利权）人： | 南瑞联研半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SiC MOSFET器件及其制备方法，其SiC MOSFET器件包括第一掺杂类型的重掺杂的衬底、第一掺杂类型的轻掺杂的第一外延层、第二掺杂类型的电场调制区、第一掺杂类型的轻掺杂的第二外延层、第二掺杂类型的阱区、第二掺杂类型的接触区、第一掺杂类型的源区、栅沟槽、栅介质层、第一掺杂类型的多晶硅层、源极欧姆接触层、漏极欧姆接触层、栅极电极、源极电极、漏极电极、钝化层，本发明通过引入电场调制区，可有效调制器件内部电场，消除沟槽底部的电场聚集效应，还可降低沟槽底部栅氧中的电场强度，避免栅氧击穿，从而可防止器件过早击穿烧毁，提升器件可靠性。此外，制备方法与现有制备方法兼容，具有巨大的市场潜力与广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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