[发明专利]一种SiC MOSFET器件及其制备方法

权利要求书

1.一种SiC MOSFET器件，其特征在于，包括：

第一掺杂类型的重掺杂的衬底；

第一掺杂类型的轻掺杂的第一外延层，位于所述衬底的上表面；

第二掺杂类型的电场调制区，位于所述第一外延层中；

第一掺杂类型的轻掺杂的第二外延层，位于所述第一外延层的上表面；

第二掺杂类型的阱区，位于所述第二外延层中；

第二掺杂类型的接触区，位于所述阱区中；

第一掺杂类型的源区，位于所述阱区中；

栅沟槽，位于所述第一外延层与所述第二外延层中；

栅介质层，位于所述栅沟槽表面；

第一掺杂类型的多晶硅层，填充于所述栅沟槽内的栅介质层表面；

源极欧姆接触层，位于所述第一掺杂类型的源区与第二掺杂类型的接触区的表面；

漏极欧姆接触层，位于所述衬底的下表面；

栅极电极，位于所述多晶硅层的上表面；

源极电极，位于所述源极欧姆接触层的上表面；

漏极电极，位于所述漏极欧姆接触层的下表面；

钝化层，位于所述源极电极与所述栅极电极之间的第一外延层的表面。

2.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET器件，其特征在于，所述SiC MOSFET器件还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底与所述第一外延层之间。

3.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET器件，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型。

4.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET器件，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型。

5.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET器件，其特征在于，

所述第二掺杂类型的电场调制区的厚度为0.2-1.0um，宽度为0.5-1.2um，掺杂浓度为1e17-1e19cm^-3；

所述第二掺杂类型的电场调制区与所述栅沟槽之间的间距为0.1-1.0um；

所述第二掺杂类型的阱区的厚度为0.6-1.2um，且所述阱区与所述第二掺杂类型的电场调制区相连接；

所述第二掺杂类型的接触区的宽度为0.3-1.0um，且所述接触区与所述第二掺杂类型的电场调制区间距为0-0.5um；

所述栅沟槽的宽度为0.5-2.0um，深度为0.5-2.5um。

6.一种SiC MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供第一掺杂类型的重掺杂的衬底，并于所述衬底的上表面形成第一掺杂类型的轻掺杂的第一外延层；

于第一外延层中形成第二掺杂类型的电场调制区；

于第一外延层的上表面形成第一掺杂类型的轻掺杂的第二外延层；

于第二外延层中形成第二掺杂类型的阱区，并于所述阱区中形成第二掺杂类型的接触区和第一掺杂类型的源区；

于第一外延层与第二外延层中形成栅沟槽；

于栅沟槽内形成栅介质层与第一掺杂类型的多晶硅层；

于第二外延层表面形成钝化层，并于所述钝化层中形成源极窗口；

于源极窗口内形成源极欧姆接触层，并于衬底底部表面形成漏极欧姆接触层；

于钝化层内对应于所述多晶硅的位置形成栅极窗口；

于栅极窗口内形成栅极电极，并于源极欧姆接触层表面形成源极电极，于所述漏极欧姆接触层表面形成漏极电极。

7.根据权利要求6所述的一种SiC MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述于第一外延层中形成第二掺杂类型的电场调制区包括：

在所述第一外延层的上表面形成离子注入屏蔽层；

在所述离子注入屏蔽层的上表面涂覆光刻胶，采用光刻工艺对所述光刻胶进行图形化处理以形成图形化的光刻胶；

依据所述图形化的光刻胶，对所述第一外延层进行离子注入工艺以形成电场调制区；

去除图形化的光刻胶；

去除所述离子注入屏蔽层。