[发明专利]暗场图形的辅助图形及其设计方法

摘要

本申请公开了一种暗场图形的辅助图形及其设计方法，该暗场图形为曝光透过的区域，该暗场图形是目标器件的图形，该暗场图形的密度占比在目标器件的图形中小于40％。本申请通过在暗场图形的内部增加辅助图形，从而提高了暗场图形的通光量，实现了不通过负显影技术制造小尺寸的器件，解决了相关技术中通过负显影技术制造小尺寸的器件所导致的生产成本较高的问题，在一定程度上降低了生产成本，提高了产出率。