[发明专利]暗场图形的辅助图形及其设计方法

权利要求书

1.一种暗场图形的辅助图形，其特征在于，所述暗场图形为曝光透过的区域，所述暗场图形是目标器件的图形，所述暗场图形的密度占比在所述目标器件的图形中小于40％，所述辅助图形设置于所述暗场图形的内部。

2.根据权利要求1所述的图形，其特征在于，所述暗场图形的版图设计尺寸小于所述图形所在层使用的曝光工艺最小极限图形尺寸的150％。

3.根据权利要求3所述的图形，其特征在于，所述暗场图形的版图设计尺寸小于70纳米。

4.根据权利要求1所述的图形，其特征在于，所述辅助图形的版图设计尺寸小于所述图形所在层使用的曝光工艺最小极限图形尺寸的70％。

5.根据权利要求4所述的图形，其特征在于，所述辅助图形的版图设计尺寸小于30纳米。

6.根据权利要求1至5任一所述的图形，其特征在于，所述暗场图形的光罩的实际尺寸大于其设计尺寸。

7.根据权利要求6所述的图形，其特征在于，所述实际尺寸大于所述设计尺寸25纳米至50纳米。

8.根据权利要求6所述的图形，其特征在于，所述实际尺寸需增加的值为该层使用的曝光工艺最小极限图形尺寸的50％至150％。

9.一种暗场图形的设计方法，其特征在于，包括：

根据产品设计和制造需求，确定在晶圆上需要形成的暗场图形的目标尺寸；

设定不同的尺寸的图形组合，所述图形组合包括暗场图形、设置于所述暗场图形中的辅助图形以及所述暗场图形的光罩，所述图形组合满足权利要求1至8中的任一条件；

根据所述图形组合对所述晶圆进行曝光、刻蚀，得到测试图形；

将测试图形中无缺陷且其尺寸为所述目标尺寸的80％至120％的图形组合确定为最终的图形组合。