[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110678643.1 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113421869B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 鲁林芝;李乐 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供承载片和器件晶圆，器件晶圆包括SOI衬底，SOI衬底包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层，器件晶圆中的第一通孔插塞结构经半导体层和绝缘埋层延伸至至少与下层衬底接触；将器件晶圆的正面键合于承载片上；于下层衬底中开设开口，开口至少暴露出第一通孔插塞结构的与下层衬底接触的表面；以及，填充第二绝缘介质层于开口中，以使得第一通孔插塞结构与下层衬底之间绝缘。本发明能够避免导致半导体层中的器件与下层衬底之间短路，从而避免导致半导体器件失效。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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