[发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110675281.0 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN115117110A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 野田光太郎;野田恭子;星野健;津端修一 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;G11C5/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供能够谋求电特性的提高的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。本实施方式的半导体存储装置具有第1布线、第2布线、第1存储层和第1绝缘膜。上述第1绝缘膜沿着上述第2布线的一部分表面及上述第1存储层的表面而设置。上述第1绝缘膜由Si、N及O形成。在上述第3方向上，将上述第1存储层的上述第2布线侧的端面的位置设定为第1位置。将上述第2布线的与上述第1存储层相反侧的端面的位置设定为第2位置。上述第1位置处的上述第1绝缘膜的N与O的原子比(N/O)为1.0以上。上述第2位置处的上述第1绝缘膜的N与O的原子比(N/O)低于1.0。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
