[发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其具备：

第1布线，该第1布线沿第1方向延伸；

第2布线，该第2布线沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上设置于与所述第1布线不同的位置；

第1存储层，该第1存储层在所述第3方向上设置于所述第1布线与所述第2布线之间；和

第1绝缘膜，该第1绝缘膜沿着所述第2布线的一部分表面及所述第1存储层的表面而设置，其中，

所述第1绝缘膜由Si、N及O形成，

在所述第3方向上，将所述第1存储层的所述第2布线侧的端面的位置设定为第1位置，

将所述第2布线的与所述第1存储层相反侧的端面的位置设定为第2位置时，

所述第1位置处的所述第1绝缘膜的N与O的原子比N/O为1.0以上，

所述第2位置处的所述第1绝缘膜的N与O的原子比N/O低于1.0。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，在所述第3方向上，将所述存储层的所述第1布线侧的端面中的位置设定为第3位置时，

在所述第3方向上从所述第1位置至所述第3位置为止的范围内，

所述第1绝缘膜的N与O的原子比N/O为1.0以上。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，所述第1位置处的所述第1绝缘膜的N与O的原子比N/O为7/3以上。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，将所述第1方向上的所述第1绝缘膜的最小厚度设定为第1距离，

在所述第3方向上，将从所述第2位置朝向所述第1布线相距所述第1距离的位置设定为第4位置时，

在所述第3方向上从所述第2位置至所述第4位置的范围内，

所述第1绝缘膜的N与O的原子比N/O低于1.0。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体存储装置，其进一步具备选择器层，所述选择器层在所述第3方向上设置于所述第1布线与所述存储层之间、或在所述第3方向上设置于所述存储层与所述第2布线之间，

在所述第3方向上，在将所述选择器层的所述第2布线侧的端面中的位置设定为第5位置时，

所述第5位置处的所述第1绝缘膜的N与O的原子比N/O为1.0以上。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体存储装置，其进一步具备：

第3布线，该第3布线在所述第1方向上设置于与所述第2布线不同的位置，沿所述第2方向延伸；和

第3存储层，该第3存储层在所述第3方向上设置于所述第1布线与所述第3布线之间，

所述第1绝缘膜在所述第2方向上位于所述第2布线与所述第3布线之间。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体存储装置，其在所述第3方向上，在从所述第2布线的所述第1存储层侧的端面的位置至所述第2位置为止的范围内，

所述第1绝缘膜的N与O的原子比N/O低于1.0，

将所述第1方向上的所述第1绝缘膜的最小厚度设定为第2距离，

在所述第1方向上，在与所述第2布线的表面相距所述第2距离以上的范围内，

所述第1绝缘膜的N与O的原子比N/O为1.0以上。

8.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体存储装置，其具备：

第4布线，该第4布线在所述第1方向上设置于与所述第2布线及所述第3布线不同的位置，沿所述第2方向延伸；

第2存储层，该第2存储层设置于所述第1布线与所述4布线之间；

第5布线，该第5布线在所述第1方向上设置于与所述第2布线、所述第3布线及所述第4布线不同的位置，沿所述第2方向延伸；和

第2绝缘膜，该第2绝缘膜在所述第2方向上位于所述第4布线与所述第5布线之间，沿着所述第4布线的表面及所述第2存储层的表面而设置，其中，

所述第1位置处的所述第2绝缘膜的N与O的原子比N/O为1.0以上，

所述第2位置处的所述第2绝缘膜的N与O的原子比N/O为1.0以上。

9.一种半导体存储装置的制造方法，其中，

在硅基板上形成层间绝缘层，

在所述层间绝缘层上形成布线，

在所述布线上形成存储层，

形成硅氧化膜，所述硅氧化膜包含覆盖所述布线的一部分的侧面的第1部分和覆盖所述存储层的侧面的第2部分，

按照与所述硅氧化膜的所述第1部分相比在所述硅氧化膜的所述第2部分中包含更多的氮的方式，对所述硅氧化膜的第2部分供给氮。