[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110652469.3 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113611655A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 黄吉河;谈文毅 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768;H01L29/06;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，包括形成一第一介电层于一基底上，在该第一介电层中形成多个第一互连结构，在该多个第一互连结构之间的该第一介电层中形成至少一沟槽，进行一溅镀沉积制作工艺于该第一介电层上形成一第二介电层，其中该第二介电层至少部分封口该沟槽中的一气隙，以及于该第二介电层上形成一第三介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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