[发明专利]一种具有沟道缓冲层的半超结MOSFET器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有沟道缓冲层的半超结MOSFET器件及其制备方法，该器件包括：NBAL电压支撑层；P‑pillar区和N‑pillar区，设置于NBAL电压支撑层表面，且两者在水平方向间隔排列；P型基区和N+注入区，依次设置于P‑pillar区和N‑pillar区上；以及，位于N+注入区上的源极金属，位于NBAL电压支撑层下表面的漏极金属，位于P型基区和N+注入区内的沟槽栅结构；其中，N‑pillar区内设有N‑buffer区，N‑buffer区的最上端与P‑pillar区的最上端在同一平面上，且N‑buffer区的宽度大于N‑pillar区的宽度。本发明提供的半超结MOSFET器件具有较低的功耗、较高的可靠性以及较好的抗雪崩能力。