[发明专利]一种具有沟道缓冲层的半超结MOSFET器件及其制备方法

权利要求书

1.一种具有沟道缓冲层的半超结MOSFET器件，其特征在于，包括：

N_BAL电压支撑层(10)；

P-pillar区(9)和N-pillar区(13)，设置于所述N_BAL电压支撑层(10)上表面，且两者在水平方向间隔排列；

P型基区(6)和N⁺注入区(4)，依次设置于所述P-pillar区(9)和所述N-pillar区(13)上；以及，

位于所述N⁺注入区(4)上的源极金属(1)，位于所述N_BAL电压支撑层(10)下表面的漏极金属(3)，位于所述P型基区(6)和所述N⁺注入区(4)内的沟槽栅结构；

其中，所述N-pillar区(13)内设有N-buffer区(8)，所述N-buffer区(8)的最上端与所述P-pillar区(9)的最上端在同一平面上，且所述N-buffer区(8)的宽度大于所述N-pillar区(13)的宽度。

2.根据权利要求1所述的半超结MOSFET器件，其特征在于，所述N-buffer区(8)的深度为1.9μm-2.4μm，宽度为2.5μm-2.8μm，掺杂浓度为5×10¹⁶cm^-3-9×10¹⁶cm^-3。

3.根据权利要求1所述的半超结MOSFET器件，其特征在于，还包括设置在所述N-buffer区(8)内的P⁺接触区域(7)，其中，所述P⁺接触区域(7)起始于所述沟槽栅结构的栅氧层(11)下表面，并向下延伸至所述N-buffer区(8)内，且所述P⁺接触区域(7)的深度小于所述N-buffer区(8)的深度，所述P⁺接触区域(7)宽度小于所述栅氧层(11)的宽度。

4.根据权利要求1所述的半超结MOSFET器件，其特征在于，还包括若干P⁺注入区，所述若干P⁺注入区起始于所述源极金属(1)的下表面，并向下延伸至所述P-pillar区(9)。

5.根据权利要求4所述的半超结MOSFET器件，其特征在于，所述若干P⁺注入区的掺杂浓度均呈阶梯状分布。

6.根据权利要求4所述的半超结MOSFET器件，其特征在于，所述P⁺注入区自上而下依次包括第一P⁺注入区(5)和第二P⁺注入区(12)，其中，

所述第一P⁺注入区(5)的最大宽度小于所述P型基区(6)的宽度，所述第一P⁺注入区(5)的最大深度小于所述P型基区(6)和所述N⁺注入区(4)的深度之和；

所述第二P⁺注入区(12)的最大宽度小于所述第一P⁺注入区(5)在的最大宽度，且不超出所述P注入区(9)和所述P型基区(6)；所述第二P⁺注入区(12)在垂直方向上的最底端高于所述N-buffer区(8)在垂直方向上的最底端。

7.根据权利要求6所述的半超结MOSFET器件，其特征在于，所述第一P⁺注入区(5)和所述第二P⁺注入区(12)的轮廓线曲率均呈线性变化。