[发明专利]具有漂移区的高压无结FinFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110616321.4 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN114267715A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 青岛昇瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 266426 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有漂移区的高压无结FinFET器件及其制备方法，该器件包括：形成于衬底内的包括依次相邻的源区、沟道区、漂移区及漏区的鳍状结构；形成于鳍状结构的两侧和顶面上的栅极结构；形成于源区及漏区的源极及漏极，漂移区位于沟道区与漏极之间，源极及漏极与沟道区及漂移区的掺杂类型相同，且源极及漏极的掺杂浓度大于沟道区及漂移区的掺杂浓度。通过在无结FinFET器件的沟道区与漏极之间形成漂移区，低掺杂的漂移区相当于使FinFET器件串联了一个高电阻，为FinFET器件创建了一个更长的电路路径来帮助耗散高电压，有效提高了FinFET器件的击穿电压，改善了FinFET器件的耐高压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 漂移 高压 finfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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