[发明专利]半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法在审
| 申请号： | 202110609567.9 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN114388037A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 金在雄 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/08;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 黄倩 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法。半导体存储器设备包括存储器块和外围电路。存储器块包括正常页和缓冲器页。正常页中的每个正常页包括存储N位数据的存储器单元。缓冲器页中的每个缓冲器页包括存储一位数据的存储器单元。外围电路接收第一页数据，并且在第一缓冲器页中对第一页数据执行单级单元(SLC)编程。另外，外围电路接收第二页数据，并且在第二缓冲器页中对第二页数据执行SLC编程。另外，外围电路基于分别在第一和第二缓冲器页中编程的第一和第二页数据，对正常页执行多级编程操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 设备 操作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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