[发明专利]接合结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110607628.8 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN115440689A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 何宜蓁;刘旭唐;吕文隆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种接合结构及其形成方法。接合结构包括：第一线路层；第一接合金属层，设置在第一线路层上，并且具有第一接合表面；第一介电材料，覆盖第一接合金属层的部分上表面且暴露出第一接合表面，其中，第一介电材料提供第二接合表面，第二接合表面高于第一接合表面以与第一接合表面形成阶梯差。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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