[发明专利]接合结构及其形成方法

权利要求书

1.一种接合结构，其特征在于，包括：

第一线路层；

第一接合金属层，设置在所述第一线路层上，并且具有第一接合表面；

第一介电材料，覆盖所述第一接合金属层的部分上表面且暴露出所述第一接合表面，其中，所述第一介电材料提供第二接合表面，所述第二接合表面高于所述第一接合表面以与所述第一接合表面形成阶梯差。

2.根据权利要求1所述的接合结构，其特征在于，所述第一接合金属层具有锥形形状。

3.根据权利要求2所述的接合结构，其特征在于，所述第一接合金属层具有最大宽度和小于所述最大宽度的最小宽度，所述最大宽度靠近所述第一线路层，所述最小宽度远离所述第一线路层。

4.根据权利要求1所述的接合结构，其特征在于，所述第一介电材料具有连接在所述第一接合表面和所述第二接合表面之间的侧表面，所述侧表面与所述第一接合金属层的上表面形成夹角，所述夹角的范围在大于等于20度至小于90度的范围内。

5.根据权利要求1所述的接合结构，其特征在于，还包括：

第二线路层；

第二介电材料，所述第二线路层位于所述第二介电材料中；

第二接合金属层，设置在所述第二线路层上且突出于所述第二介电材料。

6.根据权利要求5所述的接合结构，其特征在于，所述第二接合金属层连接于所述第一接合金属层且由所述第一介电材料围绕。

7.根据权利要求5所述的接合结构，其特征在于，所述第二线路层为纳米孪晶铜材料。

8.根据权利要求5所述的接合结构，其特征在于，所述第二线路层具有水平晶像。

9.一种形成接合结构的方法，其特征在于，包括：

在第一介电材料中形成第一开口；

将第一接合金属材料形成在所述第一开口内并在所述第一接合金属材料的第一表面上方形成第一线路层；

在所述第一接合金属材料的与所述第一表面相对的第二表面上形成由所述第一介电材料限定的凹部；

将具有突出的第一材料的第二接合金属材料与所述第一接合金属材料接合，其中，突出的所述第一材料位于所述凹部中。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

在第二介电材料中形成第二开口，并在所述第二开口中形成所述第二接合金属材料的第二材料；

在所述第二接合金属材料的第一表面上形成第二线路层；

在所述第二接合金属材料的与所述第一表面相对的第二表面上形成突出于所述第二介电材料的所述第一材料。