[发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法

摘要

本公开提供沟道的接触电阻低的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备多个第1布线层、第1柱、第2布线层、半导体含有层以及第1绝缘层。多个第1布线层在第1方向上层叠。第1柱在多个第1布线层的内部沿着第1方向延伸，且包含第1半导体层。第2布线层配置在第1半导体层的上端的上方，沿着与第1方向交叉的第2方向延伸。半导体含有层具有第1部分、第2部分以及第3部分。第1部分配置在第1半导体层的上端与第2布线层的底面之间。第2部分与第1部分相接，沿着第2布线层的侧面设置。第3部分与第2部分的上端相接，沿着与第1方向交叉的方向延伸。第1绝缘层配置在第1部分与第2布线层之间以及第2部分与第2布线层之间。第3部分的至少上表面含有金属。