[发明专利]基于金属-半导体-金属结构的透明紫外光电探测器

摘要

本发明公开了一种基于金属‑半导体‑金属结构的透明紫外光电探测器，自下而上依次为透明基底、有源层和叉指电极；所述的有源层为透明的宽禁带半导体，禁带宽度大于3.1 eV，厚度大于紫外光渗透深度；所述的叉指电极为超薄金属薄膜，厚度小于等于15 nm，可见光‑近红外波段透射率大于70%；整个紫外光电探测器透明，可见光‑近红外波段透射率大于65%。本发明结构简单，易于加工，响应度高，响应速度快，具有良好柔韧性，具有应用于透明光电子器件和柔性可穿戴光电子器件领域的巨大潜力。