[发明专利]基于金属-半导体-金属结构的透明紫外光电探测器在审
申请号: | 202110578032.X | 申请日: | 2021-05-26 |
公开(公告)号: | CN113380906A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 杨柳;贺谐;何赛灵 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/108 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林松海 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 金属 半导体 金属结构 透明 紫外 光电 探测器 | ||
本发明公开了一种基于金属‑半导体‑金属结构的透明紫外光电探测器,自下而上依次为透明基底、有源层和叉指电极;所述的有源层为透明的宽禁带半导体,禁带宽度大于3.1 eV,厚度大于紫外光渗透深度;所述的叉指电极为超薄金属薄膜,厚度小于等于15 nm,可见光‑近红外波段透射率大于70%;整个紫外光电探测器透明,可见光‑近红外波段透射率大于65%。本发明结构简单,易于加工,响应度高,响应速度快,具有良好柔韧性,具有应用于透明光电子器件和柔性可穿戴光电子器件领域的巨大潜力。
技术领域
本发明属于半导体光电子器件技术领域,尤其涉及一种基于金属-半导体-金属结构的透明紫外光电探测器。
背景技术
透明紫外光电探测器是将紫外波段的光信号转换为电信号进行测量且外观透明的光电子器件,除了可以用于紫外通讯系统、污染检测和火焰监测等传统非透明紫外探测器的应用领域外,还在智能窗户、电子皮肤等新型透明电子器件中有着不可替代的作用。
透明紫外光电探测器通常包括透明基底、宽禁带半导体有源层和透明电极三部分。目前,根据工作原理分类,透明紫外光电探测器主要有光电导型探测器、p-n结光电二极管、肖特基结光电二极管三种。而另一种结构简单的光电探测器——金属-半导体-金属结构的光电二极管在透明紫外光电探测器领域却少有报道,主要原因是该结构中的金属薄膜电极严重影响了器件的透射率。同时,由于金属电极在有源层上形成了大面积遮挡,金属-半导体-金属结构的光电探测器通常存在响应度偏低的问题。
现有技术中,商用透明导电薄膜ITO性质脆,易断裂,含有稀有元素,价格昂贵。新兴的碳基透明电极,如石墨烯、碳纳米管、有机聚合物等,因载流子浓度低,导电性差。金属纳米线往往随机分布,粗糙度大,与衬底粘附性差,易脱落。金属网格结构往往需要较厚的网格线才能保证其具有足够高的导电性,此时,透射率受制于网格开孔率的大小,表面粗糙度显著增加,给封装工艺带来挑战。
发明内容
本发明旨在克服现有技术劣势,提供一种基于金属-半导体-金属结构的透明紫外光电探测器。
本发明的目的通过下述技术方案实现:
一种基于金属-半导体-金属结构的透明紫外光电探测器,自下而上依次为透明基底、有源层和叉指电极;所述的有源层为透明的宽禁带半导体,禁带宽度大于3.1 eV,厚度大于紫外光渗透深度;所述的叉指电极为超薄金属薄膜,厚度小于等于15 nm,可见光-近红外波段透射率大于70%;整个紫外光电探测器透明,可见光-近红外波段透射率大于65%。
所述的透明基底采用刚性或柔性材料。
所述的叉指电极为超薄金属薄膜,采用单一金属、金属合金、金属/介质双层结构或介质/金属/介质三层结构。
所述的单一金属为银、金、铂、铜或铝;所述的金属合金为银铝合金、银铜合金、铜铝合金或掺氧的银;所述的金属/介质双层结构或介质/金属/介质三层结构中,金属为银、金、铂、铜或铝,介质为氧化锌、氧化钼、氧化铝、氧化钨、氧化钒或ITO。
所述的基于金属-半导体-金属结构的透明紫外光电探测器,集成于智能玻璃窗、智能手机屏幕或者可穿戴器件,用于传感或者紫外线的监测。
所述的基于金属-半导体-金属结构的透明紫外光电探测器,集成于电子皮肤,用于实时监测接受紫外线照射的剂量。
相比现有技术,本发明的有益效果包括:
(1)本发明采用透明金属薄膜作为电极,使得基于金属-半导体-金属结构的紫外光电探测器外观透明,其在可见光-近红外波段透射率高于传统的采用非透明金属薄膜制备的金属-半导体-金属结构的紫外光电探测器,在透明光电子器件领域具有广阔应用市场。
(2)本发明所采用的金属薄膜对紫外光也具有足够高的透射率,故所述的基于金属-半导体-金属结构的透明紫外光电探测器,相比传统的基于金属-半导体-金属结构的非透明紫外光电探测器具有更高的光电响应度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110578032.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶圆片厚度测量装置及其测量方法
- 下一篇:一种毫米波雷达阵列天线分析方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的