[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 202110526687.2 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113690237A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 迫川泰幸 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王艳娇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体装置及其形成方法。一种半导体装置包括半导体衬底；以及所述半导体衬底上的多层布线结构，所述多层布线结构包括第一绝缘层、所述第一绝缘层上的第一导电层、所述第一绝缘层上的第二导电层、所述第一和第二导电层上的第三导电层、所述第三导电层上的第四导电层和所述第四导电层上的第二绝缘层。所述多层布线结构包括：第一栅电极，其包含分别在所述第一和第二绝缘层中的第一和第二绝缘膜，以及分别在所述第一、第三和第四导电层中的第一、第三和第四导电膜；以及第二栅电极，其包含分别在所述第一和第二绝缘层中的第一和第二绝缘膜，以及分别在所述第二、第三和第四导电层中的第二、第三和第四导电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
