[发明专利]半导体存储装置

摘要

一实施例的半导体存储装置包含：经堆叠主体，其中堆叠有多个第一导电层与插置于所述多个第一导电层之间的第一绝缘层，所述经堆叠主体具有其中所述多个第一导电层的端部分以阶梯形状终止的阶梯区域及其中布置有多个存储器单元的存储器区域；第二绝缘层，其覆盖所述阶梯区域且至少达到所述存储器区域中所述经堆叠主体的上部表面的高度；及第一结构，其具有沿着与所述阶梯区域的上升/下降方向相交的第一方向的纵向方向，所述第一结构在所述第二绝缘层中沿所述经堆叠主体的堆叠方向延伸，所述第一结构沿着所述上升/下降方向中断所述阶梯区域上所述第二绝缘层沿第二方向的扩展。