[发明专利]半导体存储装置在审

申请号：	202110488549.X	申请日：	2021-05-06
公开（公告）号：	CN113990878A	公开（公告）日：	2022-01-28
发明（设计）人：	古林贤	申请（专利权）人：	铠侠股份有限公司
主分类号：	H01L27/11524	分类号：	H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287	代理人：	杨林勳
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体存储装置
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【说明书】：

一实施例的半导体存储装置包含：经堆叠主体，其中堆叠有多个第一导电层与插置于所述多个第一导电层之间的第一绝缘层，所述经堆叠主体具有其中所述多个第一导电层的端部分以阶梯形状终止的阶梯区域及其中布置有多个存储器单元的存储器区域；第二绝缘层，其覆盖所述阶梯区域且至少达到所述存储器区域中所述经堆叠主体的上部表面的高度；及第一结构，其具有沿着与所述阶梯区域的上升/下降方向相交的第一方向的纵向方向，所述第一结构在所述第二绝缘层中沿所述经堆叠主体的堆叠方向延伸，所述第一结构沿着所述上升/下降方向中断所述阶梯区域上所述第二绝缘层沿第二方向的扩展。

相关申请案的交叉参考

本申请案基于2020年7月27日提出申请的第2020-126758号日本专利申请案并主张所述日本专利申请案的优先权的权益；所述日本专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本文中描述的本发明的实施例大体来说涉及一种半导体存储装置。

背景技术

在三维非易失性存储器中，存储器单元相对于多个经堆叠导电层三维地布置。在此配置中，缓解因经堆叠主体与其周边部分之间的材料差异导致的应力是合意的。

发明内容

根据所述实施例，可能缓解因所述经堆叠主体与其周边部分之间的材料差异导致的应力。

附图说明

图1A到1F是图解说明根据第一实施例的半导体存储装置的配置实例的示意图；

图2Aa到2Bb是图解说明用于制造根据第一实施例的半导体存储装置的方法的程序的实例的视图；

图3Aa到3Bb是图解说明用于制造根据第一实施例的半导体存储装置的方法的程序的实例的视图；