[发明专利]高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 202110484326.6 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113186601B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 彭同华;王波;赵宁;娄艳芳;郭钰;张贺;刘春俊;杨建 | 申请（专利权）人： | 北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 豆贝贝 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区中关村科技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法。本发明制备高质量的碳化硅籽晶，并控制碳化硅粉料、石墨坩埚及保温材料的杂质浓度，结合一定的晶体生长工艺以及晶片加工方式，得到了高质量的碳化硅衬底。所得碳化硅衬底具有高的结晶质量，极低的微管数量、螺位错密度和复合位错密度；同时具有极低的p型杂质浓度，表现出优良的电学性能；还具有高的表面质量。 | ||
| 搜索关键词： | 质量 碳化硅 籽晶 晶体 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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