[发明专利]晶体管结构、半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110483852.0 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN115274446A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 薛晖;许文涛;沈宇桐;朴仁鎬 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10;H01L27/108 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种晶体管结构、半导体结构及其制备方法，晶体管结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的上表面形成沟道层，沟道层包括二维层状过渡金属材料层；于沟道层相对的两侧分别形成源极及漏极；于衬底的上表面形成栅极介质层，栅极介质层覆盖沟道层、源极及漏极；于栅极介质层的上表面形成栅极，栅极至少位于沟道层的正上方。本申请中的晶体管结构的制备方法通过形成二维层状过渡金属材料层作为沟道层，无需额外掺杂即可抑制短沟道效应，可降低阈值电压，提高饱和电流及器件的可靠性；同时由于省去了离子注入的步骤，可以减少光罩使用，减少工艺步骤，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110483852.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种分离式组合余热锅炉
- 下一篇：电路板组件的制作方法及电路板组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
