[发明专利]半导体器件及其制作方法和芯片有效
| 申请号： | 202110479821.8 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113257734B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李星毅;谷玲玲;鲁艳春 | 申请（专利权）人： | 北海惠科半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/324;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 536000 广西壮族自治区北海市工业园区北*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法和芯片，半导体器件的制作方法包括步骤：在硅衬底上依次形成氧化硅层和氮化硅层；蚀刻氧化硅层、氮化硅层和硅衬底形成多个浅沟槽；在所述浅沟槽内形成厚度为200‑300埃米的隔离氧化层；对所述浅沟槽进行退火温度为900‑960摄氏度的退火处理；在所述浅沟槽内填充隔离绝缘层，使所述隔离绝缘层的顶部高于所述氧化硅层，且所述隔离绝缘层将所述氧化硅层划分为多个第一有源区和第二有源区；蚀刻掉所述氮化硅层；对所述第一有源区和第二有源区分别进行离子注入，并在所述第一有源区和第二有源区中形成对应的P型MOS管和N型MOS管。这样能够防止机台中的重金属离子扩散到有源区和浅沟槽的交界处，从而避免了空洞的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北海惠科半导体科技有限公司，未经北海惠科半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110479821.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多光谱成像系统
- 下一篇：一种肖特基二极管及其制作方法和芯片
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
