[发明专利]存储器件的制作方法有效
| 申请号： | 202110446864.6 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113206097B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王进峰;张剑;熊伟;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11531;H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种存储器件的制作方法，包括：在存储单元区域和逻辑区域依次形成第三隔离层和第四隔离层；在第四隔离层表面形成第一BARC；对第一BARC进行去除处理，使存储单元区域的字线之间的沟槽，以及字线和逻辑区域之间的沟槽保留第一BARC；在第四隔离层和剩余的第一BARC表面形成第二BARC；分别对存储单元区域和逻辑区域进行刻蚀，在存储单元区域形成存储器件的浮栅和控制栅，在逻辑区域形成逻辑器件的栅极。本申请通过在晶圆上形成第一BARC后，对第一BARC进行去除，使存储单元区域的字线之间的沟槽，以及字线和逻辑区域之间的沟槽保留第一BARC，从而在继续形成第二BARC后，降低了字线的高度在后续刻蚀中的高度差对刻蚀的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
