[发明专利]半导体封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110440019.8 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN115241072A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 范增焰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及封装技术领域，尤其涉及一种半导体封装结构及其形成方法。所述封装结构的形成方法包括如下步骤：提供基板；于所述基板上形成多条相互独立的导电走线，相邻所述导电走线之间具有暴露所述基板的沟槽；氧化所述导电走线的侧壁，形成阻挡层；形成至少填充满所述沟槽的阻焊层。本发明通过氧化导电走线的侧壁形成阻挡层，一方面通过所述阻挡层能够阻挡导电走线中导电粒子的电迁移，降低相邻所述导电走线之间发生短路的概率；另一方面，直接通过氧化导电走线形成阻挡层，工艺简单，简化了半导体封装结构的制程步骤，提高了半导体封装结构的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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