[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202110417436.0 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113964176B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 单晓双;叶明川 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包含：在基板上依序形成外延层及半导体层。在半导体层上形成图案化硬遮罩层。图案化硬遮罩层包含至少二开口。使用图案化硬遮罩层作为刻蚀遮罩，并刻蚀半导体层，以移除至少二开口下方的半导体层。移除介于至少二开口之间的图案化硬遮罩层。使用图案化硬遮罩层的剩余部分作为刻蚀遮罩，并刻蚀半导体层及外延层，以使外延层具有凹槽及凸部。凸部位于凹槽的底表面上且在介于至少二开口之间的图案化硬遮罩层的下方。移除图案化硬遮罩层的剩余部分。在半导体层及外延层上形成具有第一沟槽的第一介电层。本发明能够使半导体结构中的电场与电荷更加均匀，来获得更优良的电性特征。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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