[发明专利]一种半导体外延片生长设备在审
| 申请号： | 202110408846.9 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN112981526A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 郑国 | 申请（专利权）人： | 上海衍梓智能科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海国瓴律师事务所 31363 | 代理人： | 傅耀 |
| 地址： | 200240 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体外延片生长设备，包括基座、射频电磁线圈、钟罩、侧隔板条、顶盘和垫片。其中，基座有三层硅片位，射频电磁线圈包括12环铜线圈，顶盘直径为5cm‑50cm，垫片高度为2cm‑9cm，射频电磁线圈位于钟罩外部并环绕基座，垫片连接基座和所述顶盘。其中本发明的有益效果是：原有的外延片生长设备仅能在基座上放两层硅片位，本设备可以设置三层硅片位，提高了50％的产能；且实现外延层厚度均匀度3％,电阻率均匀度4％,炉内均匀度5％，良率达到88％以上的生产要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 生长 设备 | ||
【主权项】：
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