[发明专利]一种半导体外延片生长设备

权利要求书

1.一种半导体外延片生长设备，其特征在于：包括基座、射频电磁线圈、钟罩、侧隔板条、顶盘和垫片。其中，所述基座有三层硅片位；所述射频电磁线圈包括12环铜线圈；所述顶盘直径为5cm-50cm；所述垫片高度为2cm-9cm；所述侧隔板条为两部分：所述侧隔板条上半部分的上边缘略高于第一层硅片位上缘，所述侧隔板条上半部分下边缘略高于第二层硅片位的中段；所述侧隔板条下半部分的上边缘略低于第三层硅片位的上缘，所述侧隔板条下半部分的下边缘略高于第三层硅片位的下缘；所述射频电磁线圈位于所述钟罩外部并环绕所述基座；所述垫片连接所述基座和所述顶盘。

2.根据权利要求1所述的一种半导体外延片生长设备，其特征在于：所述钟罩外设置有反射涂层。

3.根据权利要求2所述的一种半导体外延片生长设备，其特征在于：根据所述基座和所述侧隔板条外表面设置有涂层。

4.根据权利要求3所述的一种半导体外延片生长设备，其特征在于：所述涂层为碳化硅。

5.根据权利要求4所述的一种半导体外延片生长设备，其特征在于：所述垫片和所述顶盘的材质为石英。

6.根据权利要求5所述的一种半导体外延片生长设备，其特征在于：所述侧隔板条材质为石墨。

7.根据权利要求1所述的一种半导体外延片生长设备，其特征在于：所述顶盘直径为20-35cm，所述垫片高度为3-7cm。

8.根据权利要求7所述的一种半导体外延片生长设备，其特征在于：所述顶盘直径为25cm，所述垫片高度为5cm。