[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202110408671.1 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113571492A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 丁义潭;文泂烈;朴相俊;李圭夏 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L25/065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：第一结构，包括第一接合结构；以及第二结构，在所述第一结构上，并且包括连接到所述第一接合结构的第二接合结构。所述第一接合结构包括：第一绝缘层；第一接合绝缘层，在所述第一绝缘层上；第一接合焊盘，穿透所述第一绝缘层和所述第一接合绝缘层的至少一部分；以及第一金属图案，在所述第一绝缘层中并且与所述第一接合绝缘层接触，并且具有在比所述第一接合焊盘的上表面更低的高度处的上表面。所述第二接合结构包括：第二接合绝缘层，接合到所述第一接合绝缘层；第二绝缘层，在所述第二接合绝缘层上；以及第二接合焊盘，穿透所述第二接合绝缘层并且连接到所述第一接合焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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