[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一结构，包括第一接合结构；以及

第二结构，在所述第一结构上，所述第二结构包括连接到所述第一接合结构的第二接合结构，

其中，所述第一接合结构包括：

第一绝缘层，

第一接合绝缘层，在所述第一绝缘层上，

第一接合焊盘，穿透所述第一绝缘层和所述第一接合绝缘层的至少一部分，以及

第一金属图案，在所述第一绝缘层中，所述第一金属图案与所述第一接合绝缘层接触，所述第一金属图案各自具有上表面，所述第一金属图案的上表面在与所述第一结构的下表面垂直地延伸的竖直方向上比所述第一接合焊盘的上表面靠近所述第一结构的下表面，

其中，所述第二接合结构包括：

第二接合绝缘层，接合到所述第一接合绝缘层；

第二绝缘层，在所述第二接合绝缘层上；以及

第二接合焊盘，穿透所述第二接合绝缘层的至少一部分，所述第二接合焊盘连接到所述第一接合焊盘中的分离的相应第一接合焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接合焊盘的下表面和所述第一金属图案的下表面在所述竖直方向上与所述第一结构的下表面距离相同。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一接合绝缘层包括第一区域和第二区域，并且

所述第一接合绝缘层在所述第一区域中具有第一厚度，并且所述第一接合绝缘层在所述第二区域中具有第二厚度，所述第二厚度在大小上大于所述第一厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二厚度在大小上大于所述第一厚度0.2μm至0.3μm。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

所述第一接合焊盘各自穿透所述第一区域中的所述第一接合绝缘层，并且

所述第一金属图案各自与所述第二区域中的所述第一接合绝缘层的下表面接触。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属图案的上表面在所述竖直方向上比所述第一接合绝缘层的最下表面距所述第一结构的下表面远。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属图案以及所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘中的每一个包括导电层和部分地覆盖所述导电层的阻挡金属层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接合焊盘各自包括：

第一导电层；

第一阻挡金属层，覆盖所述第一导电层的下表面和侧表面；

第二导电层，在所述第一导电层上；以及

第二阻挡金属层，覆盖所述第二导电层的下表面和侧表面。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二阻挡金属层覆盖所述第一导电层的上表面的至少一部分。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘层和所述第一接合绝缘层包括不同的材料。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接合绝缘层包括SiCN、SiO、SiN、SiOC、SiON或SiOCN中的至少一种。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

中间绝缘层，在所述第一接合绝缘层的至少一个区域中的所述第一接合绝缘层和所述第一金属图案之间，

其中，所述中间绝缘层包括与所述第一接合绝缘层的材料不同的材料。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二接合结构还包括：第二金属图案，在所述第二绝缘层中，所述第二金属图案与所述第二接合绝缘层接触，所述第二金属图案各自具有在所述竖直方向上相对于所述第二接合焊盘的下表面与所述第一结构的下表面远离的下表面。