[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件，包括：第一结构，包括第一接合结构；以及第二结构，在所述第一结构上，并且包括连接到所述第一接合结构的第二接合结构。所述第一接合结构包括：第一绝缘层；第一接合绝缘层，在所述第一绝缘层上；第一接合焊盘，穿透所述第一绝缘层和所述第一接合绝缘层的至少一部分；以及第一金属图案，在所述第一绝缘层中并且与所述第一接合绝缘层接触，并且具有在比所述第一接合焊盘的上表面更低的高度处的上表面。所述第二接合结构包括：第二接合绝缘层，接合到所述第一接合绝缘层；第二绝缘层，在所述第二接合绝缘层上；以及第二接合焊盘，穿透所述第二接合绝缘层并且连接到所述第一接合焊盘。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年4月29日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2020-0052606的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思的示例实施例涉及半导体器件。

背景技术

可以希望半导体器件具有减小的体积和处理更高容量的数据。因此，已经希望提高半导体器件中包括的半导体元件的集成密度。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了一种半导体器件，其中，接合焊盘形成层和用作布线的金属图案可以同时形成，从而可以减少工艺和成本。可以提供应用接合晶片的方法的半导体器件，以提高半导体器件的集成密度。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体器件，包括：第一结构，包括第一接合结构；以及第二结构，在所述第一结构上，并且包括连接到所述第一接合结构的第二接合结构。其中，所述第一接合结构包括：第一绝缘层；第一接合绝缘层，在所述第一绝缘层上；第一接合焊盘，穿透所述第一绝缘层和所述第一接合绝缘层的至少一部分；以及第一金属图案，在所述第一绝缘层中，所述第一金属图案与所述第一接合绝缘层接触，所述第一金属图案均具有，在垂直于所述第一结构的下表面延伸的竖直方向上，比所述第一接合焊盘的上表面，更靠近所述第一结构的下表面的上表面。其中，所述第二接合结构包括：第二接合绝缘层，接合到所述第一接合绝缘层；第二绝缘层，在所述第二接合绝缘层上；以及第二接合焊盘，穿透所述第二接合绝缘层并且连接到所述第一接合焊盘。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体器件，包括：第一结构，包括第一接合结构；以及第二结构，在所述第一结构上，并且包括连接到所述第一接合结构的第二接合结构。其中，所述第一接合结构包括：第一绝缘层；第一接合绝缘层，在所述第一绝缘层上；第一接合焊盘，穿透所述第一绝缘层和所述第一接合绝缘层的至少一部分；以及第一金属图案，在所述第一绝缘层中并且与所述第一接合绝缘层接触。并且其中，所述第一接合绝缘层包括：被所述第一接合焊盘穿透的第一区域和与所述第一金属图案的一部分接触的第二区域。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体器件，包括：第一接合结构，具有第一接合表面；以及第二接合结构，在所述第一接合结构上，并且具有与所述第一接合表面接触的第二接合表面。并且其中，所述第一接合结构包括：第一绝缘层；第一接合绝缘层，在所述第一绝缘层上并且至少部分地限定所述第一接合表面；第一接合焊盘，所述第一接合焊盘穿透所述第一绝缘层和所述第一接合绝缘层的至少一部分，并且至少部分地限定所述第一接合表面；以及第一金属图案，在所述第一绝缘层中并且均具有低于所述第一接合表面的上表面。

具体实施方式

通过结合附图的以下详细描述，将更清楚地理解本发明构思的上述和其他方面、特征和优点，其中：

图1是示出根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件的布置的布局图；

图2A和图2B是示出根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件的截面图；

图3是示出根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件的一部分的截面图；

图4A、图4B和图4C是示出根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件的要素的一部分的布局图；