[发明专利]三维存储器装置及其制造方法在审
申请号: | 202110394020.1 | 申请日: | 2021-04-13 |
公开(公告)号: | CN114388514A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 吴星来 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/11521 | 分类号: | H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及三维存储器装置及其制造方法。一种三维存储器装置包括:下层叠物和上层叠物,该下层叠物和该上层叠物彼此层叠并且各自包括与多个层间介电层交替层叠的多条字线,其中,下层叠物和上层叠物中的每一个包括第一单元部、第二单元部、联接第一单元部和第二单元部的联接部、以及从第一单元部起平行于联接部延伸的阶梯部,在阶梯部中字线的焊盘区域以阶梯状方式设置,并且其中,上层叠物的联接部被设置为与下层叠物的阶梯部交叠,并且上层叠物的阶梯部被设置为与下层叠物的联接部交叠。 | ||
搜索关键词: | 三维 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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