[发明专利]三维存储器装置及其制造方法

说明书

本申请涉及三维存储器装置及其制造方法。一种三维存储器装置包括：下层叠物和上层叠物，该下层叠物和该上层叠物彼此层叠并且各自包括与多个层间介电层交替层叠的多条字线，其中，下层叠物和上层叠物中的每一个包括第一单元部、第二单元部、联接第一单元部和第二单元部的联接部、以及从第一单元部起平行于联接部延伸的阶梯部，在阶梯部中字线的焊盘区域以阶梯状方式设置，并且其中，上层叠物的联接部被设置为与下层叠物的阶梯部交叠，并且上层叠物的阶梯部被设置为与下层叠物的联接部交叠。

技术领域

各个实施方式总体上涉及半导体技术，尤其涉及三维存储器装置及其制造方法。

背景技术

三维存储器装置的优点在于，通过在垂直方向上层叠存储器单元来增加层叠物数量，可以在相同面积内实现更大的容量，从而提供更高的性能和出色的电源效率。

在三维存储器装置中，可以通过增加要层叠的字线数量来增加集成度。然而，如果增加字线数量，则联接字线和行解码器所需的布线的数量增加，因此，集成度可能会降低。因此，需要一种高效的布线布局方法。

发明内容

各种实施方式涉及具有改进的集成度的三维存储器装置及制造这种装置的方法。

在实施方式中，一种三维存储器装置可以包括：下层叠物和上层叠物，该下层叠物和该上层叠物在垂直方向上层叠并且各自包括在垂直方向上与多个层间介电层交替层叠的多条字线，其中，下层叠物和上层叠物中的每一个包括第一单元部、第二单元部、联接第一单元部和第二单元部的联接部、以及在第一单元部和第二单元部之间平行于联接部延伸的阶梯部，阶梯部包括以阶梯状方式布置并与多条字线相对应的多个焊盘区域，并且其中上层叠物的联接部设置为在垂直方向上与下层叠物的阶梯部交叠，并且上层叠物的阶梯部设置为在垂直方向上与下层叠物的联接部交叠。

在实施方式中，一种用于制造三维存储器装置的方法可以包括：通过在垂直方向上交替地层叠多个第一层间介电层和多个第一牺牲层来形成第一预层叠物；在第一预层叠物中形成以阶梯状方式暴露出多个第一牺牲层的第一阶梯部；形成穿过第一阶梯部的多个第一垂直过孔、以及穿过第一预层叠物的第一联接部的多个第二垂直过孔，该第一联接部平行于第一预层叠物的第一阶梯部设置；通过在第一预层叠物上交替地层叠多个第二层间介电层和多个第二牺牲层来形成第二预层叠物；在第二预层叠物中形成第二阶梯部，该第二阶梯部在垂直方向上与第一联接部交叠并且以阶梯状方式暴露出多个第二牺牲层；形成多个第三垂直过孔和多个第四垂直过孔，该多个第三垂直过孔通过穿过第二预层叠物的在垂直方向上与第一阶梯部交叠的第二联接部而联接至多个第一垂直过孔，该多个第四垂直过孔通过穿过第二阶梯部而联接至多个第二垂直过孔；以及用电极材料代替第一牺牲层和第二牺牲层。

附图说明

图1是示意性地例示了根据本公开的实施方式的三维存储器装置的框图。

图2是例示了根据本公开的实施方式的三维存储器装置的一部分的立体图。

图3A是沿着图2的线A-A′截取的截面图。

图3B是沿着图2的线B-B′截取的截面图。

图4是例示了图2的上层叠物和下层叠物的立体图。

图5是例示了与本公开有关的存储器装置的立体图。

图6A至图13A是例示了根据本公开的实施方式的用于制造三维存储器装置的方法的步骤的立体图。

图6B至图13B分别是沿着图6A至图13A的线A-A′截取的截面图。

图6C至图13C分别是沿着图6A至图13A的线B-B′截取的截面图。

图14是例示了根据本公开的另一实施方式的第一垂直过孔的截面图。

图15A至图16B是例示了用于形成图14的第一垂直过孔的方法的图。