[发明专利]三维存储器装置及其制造方法在审
申请号: | 202110394020.1 | 申请日: | 2021-04-13 |
公开(公告)号: | CN114388514A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 吴星来 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/11521 | 分类号: | H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种三维存储器装置,该三维存储器装置包括:
下层叠物和上层叠物,该下层叠物和该上层叠物在垂直方向上层叠并且各自包括在所述垂直方向上与多个层间介电层交替层叠的多条字线,
其中,所述下层叠物和所述上层叠物中的每一个包括第一单元部、第二单元部、联接所述第一单元部和所述第二单元部的联接部、以及在所述第一单元部和所述第二单元部之间平行于所述联接部延伸的阶梯部,所述阶梯部包括以阶梯状方式布置并与所述多条字线相对应的多个焊盘区域,并且
其中,所述上层叠物的所述联接部被设置为在所述垂直方向上与所述下层叠物的所述阶梯部交叠,并且所述上层叠物的所述阶梯部被设置为在所述垂直方向上与所述下层叠物的所述联接部交叠。
2.根据权利要求1所述的三维存储器装置,该三维存储器装置还包括:
多个第一垂直过孔,所述多个第一垂直过孔垂直地穿过所述下层叠物的所述阶梯部;
多个第二垂直过孔,所述多个第二垂直过孔垂直地穿过所述下层叠物的所述联接部;
多个第三垂直过孔,所述多个第三垂直过孔垂直地穿过所述上层叠物的所述联接部并且分别联接至所述多个第一垂直过孔;以及
多个第四垂直过孔,所述多个第四垂直过孔垂直地穿过所述上层叠物的所述阶梯部并且分别联接至所述多个第二垂直过孔,
其中,所述多个第一垂直过孔分别对应于所述下层叠物的所述多条字线,穿过所述多条字线的所述多个焊盘区域,并且电联接至相应的多条字线,
其中,所述多个第四垂直过孔分别对应于所述上层叠物的所述多条字线,穿过所述多条字线的所述多个焊盘区域,并且电联接至相应的多条字线。
3.根据权利要求2所述的三维存储器装置,该三维存储器装置还包括:
多个第一介电图案,所述多个第一介电图案被限定在所述多个第一垂直过孔的外壁和所述多个第二垂直过孔的外壁与所述下层叠物的所述多条字线之间,将所述多个第一垂直过孔和所述多个第二垂直过孔与所述下层叠物的所述多条字线隔离;以及
多个第二介电图案,所述多个第二介电图案被限定在所述多个第三垂直过孔的外壁和所述多个第四垂直过孔的外壁与所述上层叠物的所述多条字线之间,将所述多个第三垂直过孔和所述多个第四垂直过孔与所述上层叠物的所述多条字线隔离。
4.根据权利要求3所述的三维存储器装置,该三维存储器装置还包括:
多个导电硬掩模图案,所述多个导电硬掩模图案分别设置在所述下层叠物的所述多条字线的所述多个焊盘区域上,并且将所述下层叠物的所述多条字线电联接至相应的多个第一垂直过孔。
5.根据权利要求4所述的三维存储器装置,该三维存储器装置还包括:
介电层,该介电层覆盖所述下层叠物和所述多个导电硬掩模图案,
其中,所述多个第一垂直过孔中的每一个具有穿过所述介电层的上部和穿过所述下层叠物的所述阶梯部的下部,所述上部的宽度大于所述下部的宽度。
6.根据权利要求3所述的三维存储器装置,该三维存储器装置还包括:
多个导电硬掩模图案,所述多个导电硬掩模图案分别设置在所述上层叠物的所述多条字线的所述多个焊盘区域上,并且将所述上层叠物的所述多条字线电联接至对应的多个第四垂直过孔。
7.根据权利要求3所述的三维存储器装置,该三维存储器装置还包括:
多个硬掩模图案,所述多个硬掩模图案分别设置在所述下层叠物的所述多条字线的所述多个焊盘区域上;以及
介电层,该介电层覆盖所述下层叠物和所述多个硬掩模图案,
其中,所述多个第一垂直过孔中的每一个通过穿过所述介电层以及设置在相应字线的所述焊盘区域上的所述硬掩模图案而直接联接到所述相应字线。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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