[发明专利]厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法在审
| 申请号： | 202110381198.2 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN115206887A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 陈仙;张培健;洪敏;廖希异;王妍;邱盛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所;中电科技集团重庆声光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李铁 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明提供一种厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法，该制备方法包括步骤：制备Si/SiO |
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| 搜索关键词： | 厚度 可控 晶圆级硅基 超薄 柔性 电子器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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