[发明专利]厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法在审
| 申请号： | 202110381198.2 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN115206887A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 陈仙;张培健;洪敏;廖希异;王妍;邱盛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所;中电科技集团重庆声光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李铁 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 厚度 可控 晶圆级硅基 超薄 柔性 电子器件 制备 方法 | ||
1.一种厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法，其特征在于，包括步骤：
制备Si/SiO2/Si复合结构衬底，并调节控制所述Si/SiO2/Si复合结构衬底中顶层硅层的厚度；
在所述Si/SiO2/Si复合结构衬底上制备柔性电子器件层；
利用化学腐蚀工艺去除所述Si/SiO2/Si复合结构衬底中的底层硅层。
2.根据权利要求1所述的厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法，其特征在于，制备所述Si/SiO2/Si复合结构衬底，并调节控制所述Si/SiO2/Si复合结构衬底中顶层硅层的厚度的步骤包括：
提供第一硅片，并对所述第一硅片的表面进行氧化，得到SiO2/Si结构；
提供第二硅片，并沿着所述SiO2/Si结构中的氧化硅层将所述第二硅片与所述SiO2/Si结构键合在一起，得到所述Si/SiO2/Si复合结构衬底；
对所述第二硅片进行研磨与抛光，控制所述第二硅片的厚度。
3.根据权利要求2所述的厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法，其特征在于，所述第二硅片的厚度为1μm-20μm，即所述Si/SiO2/Si复合结构衬底中顶层硅层的厚度为1μm-20μm。
4.根据权利要求1所述的厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法，其特征在于，制备所述Si/SiO2/Si复合结构衬底，并调节控制所述Si/SiO2/Si复合结构衬底中顶层硅层的厚度的步骤包括：
提供第一硅片，并对所述第一硅片的表面进行氧化，得到第一SiO2/Si结构；
提供第二硅片，并对所述第二硅片的表面进行氧化，得到第二SiO2/Si结构；
沿着所述第一SiO2/Si结构中的氧化硅层与所述第二SiO2/Si结构中的氧化硅层，将所述第一SiO2/Si结构与所述第二SiO2/Si结构键合在一起，得到所述Si/SiO2/Si复合结构衬底；
对所述第一SiO2/Si结构中的硅层或者所述第二SiO2/Si结构中的硅层进行研磨与抛光，控制其厚度。
5.根据权利要求4所述的厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法，其特征在于，所述第一SiO2/Si结构中的硅层或者所述第二SiO2/Si结构中的硅层的厚度为1μm-20μm，即所述Si/SiO2/Si复合结构衬底中顶层硅层的厚度为1μm-20μm。
6.根据权利要求2或4所述的厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法，其特征在于，所述Si/SiO2/Si复合结构衬底中氧化硅层的厚度为1μm-3μm。
7.根据权利要求2或4所述的厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法，其特征在于，硅片的键合工艺包括键合与退火，退火温度为700℃～1300℃。
8.根据权利要求1所述的厚度可控的晶圆级硅基超薄柔性电子器件制备方法，其特征在于，所述柔性电子器件层中的器件至少包括BJT、CMOS及JFET中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所;中电科技集团重庆声光电有限公司，未经中国电子科技集团公司第二十四研究所;中电科技集团重庆声光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110381198.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
